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上海光機所DKDP晶體長籽晶快速生長技術取得重要進展

來源: 發布時間:2020-03-02【字體:

 

  近期,上海光機所出槽一塊尺寸為470mm×495mm×560mm(長××柱面高)長籽晶快速生長的大口徑DKDP晶體,這是國際上首次獲得的大口徑長籽晶DKDP晶體,標志著長籽晶快速生長DKDP晶體技術得到成功驗證。相關晶體制備技術已經申請了專利(公開號:CN 109943881A,CN110055579A)。 

  研究團隊采用長籽晶點晶技術(籽晶長度320mm),在自主研發的1300型連續過濾晶體生長槽中經過三個多月生長成功出槽。初步測試結果表明,晶體毛坯內部透明度好,可以滿足無錐柱交界面的大口徑二類混頻元件切割要求。 

  長籽晶快速生長技術是上海光機所在第一代DKDP晶體快速生長技術(雙錐生長技術)基礎上的又一突破。它耦合了傳統生長技術與快速生長技術的優點,具有傳統生長技術無錐柱交界面、快速生長技術生長周期短的優點,又兼具切片效率高的特點,為國際高功率激光裝置建設所需DKDP晶體生長提供了新方案。(激光與紅外材料實驗室供稿) 

連續過濾長籽晶快速生長技術制備的DKDP晶體
(晶體尺寸470mm×495mm×560mm,籽晶長度320mm

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